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WCT-120PL荧光少子寿命测试仪  
WCT-120PL荧光少子寿命测试仪
分别采用瞬态光电导和荧光方法测量硅片到太阳能电池半成品或者成品电池的少子寿命
原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)  
原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)
原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)是一种原子尺度的薄膜制备技术。它可以沉积均匀一致,厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展,器件和材料的尺寸要求不断地降低,同时器件结构中的宽深比不断增加,这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术。其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。
太阳能模拟器(SCD1)IV测试仪  
太阳能模拟器(SCD1)IV测试仪
这种测试仪适用于已经有光源的用户,仅采集IV数据。
WCT-120TS变温少子寿命测试仪  
WCT-120TS变温少子寿命测试仪
分别采用QSSPC方法和变温法得出硅片的少子寿命测试仪
ERIS纯相位型空间光调制器  
ERIS纯相位型空间光调制器
ERIS 纯相位空间光调制器是基于液晶微显示技术,分辨率可达 1920x1200 像素。像元大小 8μm。 ERIS纯相位空间光调制器提供可见光波段和通信波段的型号可供选择,覆盖从 400nm 到 1600nm 的波 长。具有极高的相位稳定性、低延迟和低串扰
德国Nanoscribe的纳米级高分辨率3D打印系统  
德国Nanoscribe的纳米级高分辨率3D打印系统
主要特征 1.具有 100 nm 特征尺寸控制的高速高分辨率 3D 微纳加工 2.广泛的基板和晶圆,最大可达 8 英寸 3.工业批量处理:200 种典型的中尺度结构可在一夜之间打印 4.通过花岗岩基层和减振实现高机械和热稳定性 5.个性化定制系统,适用于广泛应用,是多用户设施的理想选择
GAEA-2 千万级像素(4094 x 2464 )纯相位空间光调制器  
GAEA-2 千万级像素(4094 x 2464 )纯相位空间光调制器
GAEA-2 纯相位空间光调制器是基于液晶微显示技术,分辨率可达 4094x2464 像素。像元大小3.74μm,GAEA-2 有针对不同应用不同波段的型号
Adams_PD-400MHz可调MZI干涉仪  
Adams_PD-400MHz可调MZI干涉仪
1000-1100nm波长,DC-400MHz带宽,10mm、30mm光程差可选
桌面式无掩膜光刻机  
桌面式无掩膜光刻机
µMLA 依托全球主流的µPG平台开发,是一款定位研发与快速原型的高端台式无掩模光刻系统,具备无需掩模、高精度、易用稳定等特点,是科研与小批量原型加工的标准入门级装备。 µMLA目前已经被海德堡仪器(Heidelberg Instruments)广泛用于MEMS、微流控、微光学、传感器、二维材料等领域,是纳米加工实验室、科研机构与工业界高性价比、多用户通用的微结构加工设备。
MT700 扫频光源相干成像系统  
MT700 扫频光源相干成像系统
1060nm波长,400MHz/2Gz带宽,30/50/70kHz扫频速率45mm成像深度
Adams_30nm三档可调扫频激光器  
Adams_30nm三档可调扫频激光器
1060nm,30/50/70kHz,30nm波长范围,45mm成像深度
笼式光路模块  
笼式光路模块
OE-OCS series 笼式光路模块是一款集模块化设计、4f光学架构与精密光档技术于一体的高端光学系统集成解决方案。通过精准遮挡空间光调制器(SLM/DMD)的0级衍射光,系统有效消除像场中间暗外围亮的现象,大幅提升光强分布均匀性,实现高对比度干涉条纹与清晰成像。产品采用标准化组件与即插即用设计,支持多维扩展与快速光路搭建,广泛应用于为光场调控,全息成像、生物传感、激光加工等领域,为科研与工业应用提供稳定、高效的光学平台。
BWO太赫兹返波管  
BWO太赫兹返波管
QS1-370是我们的中档信号源之一,其最大输出频率为370 GHz。 该系统可以与倍频器结合使用,以达到1 THz以上的实用范围。 它可以在300 GHz范围内提供比同系列其他任何太赫兹源更大的功率。
太赫兹功率计能量计  
太赫兹功率计能量计
高灵敏度热电太赫兹探测器/太赫兹功率计 特点 —— 极低噪声和漂移(当测量低功率和低能量时) —— 宽带性,可测连续光和脉冲激光 —— 高至 3W —— 太赫兹版本
bolometer热辐射计  
bolometer热辐射计
bolometer对热辐射非常敏感,主要用于10至5000µm(30THz至60GHz)之间的红外光谱中。检测器元件是一个非常敏感的热敏电阻,它被冷却到LHe温度以降低热本底。
太赫兹倍频器  
太赫兹倍频器
基于平面GaAs肖特基二极管、大功率元件、300 GHz和600 GHz可选,高带宽> 12%