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红外硅锭缺陷检测仪红外硅锭缺陷检测仪:多晶硅铸锭过程中,由于原料,参杂,坩埚及温场控制等诸多原因会造成不同程度的缺陷产生,如:SIC颗粒,隐裂,空洞,微晶等。这些缺陷的存在不能制造合格的多晶硅太阳能电池片,而且对后道切片工艺危害极大。因为SIC硬度极高,会使线据断线。硅裂的存在会使硅片掉落,甚至损坏导轮。 如何在不损伤硅块的前提下检测出这些缺陷,理论上有很多方法,如X光透视,超声波检测,红外投射等都是常用的方法,但综合考虑成本,工作环境,劳动保护,工作效率和操作便捷,红外投射的方法最合适。 国内主要的大厂都有使 |
太阳能电池激光划片机太阳能电池激光划片机:·应用领域\r \r 太阳能光伏行业中,单晶硅、多晶硅及非晶硅太阳能电池片和硅片的划片加工。 \r \r ·产品特点\r \r 采用氪灯泵浦(YAG)激光器,采用声光调制系统、数控X-Y运动工作台及步进电机驱动;\r \r 系统采用国际流行的模块化设计,关键部件均采用进口产品;\r \r 设备高可靠、高精度、高效率;\r \r 软件升级至3.0版且安装移机简单方便; \r \r 高精度一体化恒温循环水冷;长时间运行稳定可靠; |
霍尔效应测试仪霍尔效应测试仪:主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。 \r 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外,它也可应用于LED磊晶层的质量判定,也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成,此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助 |
SpectroradiometerSpectroradiometer |
扩展电阻仪 (SRP)SRP (Spreading Resistance Profiling) 扩展电阻测试系统是用一对专用的点接触探针,沿着样品表面以很小的增量步进,测出每一点的扩展电阻值,绘出样品的电阻、电阻率和掺杂浓度的分布曲线。利用SRP法不仅可以得到外延层的电阻率分布等电学性质,而且可以确定外延层的厚度和界面杂质的过渡区分布。 |
EKO MP-160 I-V曲线测试仪EKO MP-160 MP-160对太阳模拟器室内评测和室外自然光评测等应用都有出色表现 。MP-160能够完成对大面积电池测量、化合物电池、染料电池等的高精度I-V曲线测量。 |
ECV校准硅片ECV校准硅片 CVP-CS |
Ushio 测试灯UXL-10S,UXL-16SUshio 测试灯UXL-10S,UXL-16S日本USHIO UXL-16S 氙灯 ,球形氙灯 ,产品简介:日本USHIO UXL-16S 氙灯 ,球形氙灯 该短弧氙灯主要应用在:太阳能光伏企业的日本进口NPC品牌的太阳能电池片 |
供应光伏配件,Berger测试氙灯等供应光伏配件,Berger测试氙灯等 |
深能级瞬态谱仪(Deep Level Transient Spectroscopy system)深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段!测试功能:电容模式、定电容模式、电流模式、(双关联模式)、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS; 测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具 |
CoreScan荷兰SunLab Corescan、Sherescan测试系统荷兰SunLab Corescan、Sherescan测试系统. 通过CoreScan扫描Rs,可以得到整个电池片的串联电阻分布图。从而判断影响此因素的原因,如:烧结温度过高过低、磷硅玻璃是否去除干净,发射层是否平整均匀,电极是否有虚印、断线等等 |
脉冲激光沉积系统 (PLD)脉冲激光沉积系统 (PLD) |
便携的I - V光伏组件测试仪Portable I-V Testers for PV Modules便携的I - V光伏组件测试仪Portable I-V Testers for PV Modules |
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太阳能板检测专用数码相机-太阳能电池检测相机,高灵敏致冷CCD相机太阳能板检测专用数码相机-太阳能电池检测相机,高灵敏致冷CCD相机 |
FPS-300闪光电源The FPS-300 is a new flash power supply designed to replace the Quantum power supply stack and flash\r head. |
电致发光影像分析(Electroluminescence, EL)电致发光影像分析(Electroluminescence, EL):大小裂痕(large and microcracks)、缺损(holes)、杂质(inclusion)、扩散深度(diffusion length)及接触或传导不良区域 |