__空间光调制器|波前测试仪|变形镜|激光器瞬渺

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红外硅锭缺陷检测仪：多晶硅铸锭过程中，由于原料，参杂，坩埚及温场控制等诸多原因会造成不同程度的缺陷产生，如：SIC颗粒，隐裂，空洞，微晶等。这些缺陷的存在不能制造合格的多晶硅太阳能电池片，而且对后道切片工艺危害极大。因为SIC硬度极高，会使线据断线。硅裂的存在会使硅片掉落，甚至损坏导轮。如何在不损伤硅块的前提下检测出这些缺陷，理论上有很多方法，如X光透视，超声波检测，红外投射等都是常用的方法，但综合考虑成本，工作环境，劳动保护，工作效率和操作便捷，红外投射的方法最合适。国内主要的大厂都有使

霍尔效应测试仪

霍尔效应测试仪：主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 \r 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助

Solar Simulator Uniformity Mapper

EKO MP-160 I-V曲线测试仪

EKO MP-160 MP-160对太阳模拟器室内评测和室外自然光评测等应用都有出色表现。MP-160能够完成对大面积电池测量、化合物电池、染料电池等的高精度I-V曲线测量。

SBS-150 少子寿命

SBS-150 少子寿命测量生长块的是获得最终晶圆少子寿命的最好办法.SBS-150体硅少子寿命分析仪对硅锭生长方向上的少子寿命变化特别敏感，能否准确预测切割出的硅片的质量和缺陷状态。

少子寿命测试仪闪光灯 sinton BLS-1 lifetime(设备易损配件）

少子寿命测试仪闪光灯泡 sinton wct-120 lifetime(设备易损配件）

ECV校准硅片

ECV校准硅片 CVP-CS

CVP21-HB Halogen light bulb for CVP21 UV灯泡

深能级瞬态谱仪（Deep Level Transient Spectroscopy system）

深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段！测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、（双关联模式）、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS；测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C~t）技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具

WCT-120PL荧光少子寿命测试仪

分别采用瞬态光电导和荧光方法测量硅片到太阳能电池半成品或者成品电池的少子寿命

微波反射光电导衰退法少子寿命分析仪

脉冲激光沉积系统 (PLD)

太阳能电池量子效率测试系统

太阳能电池量子效率测试系统：太阳能电池量子效率测量系统（光谱响应测试系统、IPCE测试系统），广泛应用于各种太阳能电池包括单结、多结薄膜太阳能电池的SR光谱响应，EQE外量子效率，IQE内量子效率，IPCE，相对反射率，绝对反射率，相对透射率，绝对透射率等测量和研究；匹配国际测试标准：IEC 60904-8, & ASTM E1021-(2001)测试标准；波长范围：300nm~1100nm, 可扩展至1800 nm