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分光率(%) | 0.5±0.3 | 1.0±0.5 | 2.0±0.5 | 4.0±0.5 | | |
响应速率 (mA/W) | 5±3 | 10±5 | 20±5 | 41±5 | | |
抽头效率 | > 0.65 (典型值0.75到0.85) | | ||||
插入损耗(dB) | <0.05 | <0.1 | <0.2 | <0.3 | | |
回波损耗(dB) | > 70 dB | 不含连接器 | ||||
指向性(dB) | > 20 | 从1530nm到1565nm@RT | ||||
波长相关响应(dB) | < 0.25 | 从1530nm到1565nm@RT | ||||
温度相关响应(dB) | < 0.25 | 从-5°C到75 °C @1550nm | ||||
额定功率(mW) | 2000 | 1000 | 500 | 250 | 反向偏压下,通过适当的冷却和热沉 | |
光纤类型 | 单模光纤 (CorningSMF-283) | 保偏光纤 (Corning1550nmPANDA3) | | |||
偏振相关损耗(dB) | < 0.1 | N/A | 从-5°C到75°C和从1530nm到1565nm | |||
偏振相关响应(dB) | < 0.2(<0.3水龙头比率下降0.5%) | N/A | 从1530nm到1565nm@RT | |||
偏振消光比(dB) | N/A | > 20(>25和>30可根据要求) | | |||
探测器类型 | InGaAs | Si | ||||
波长范围 | 900nm到1700nm | 320nm到1060nm | ||||
暗电流 | 在反向5V电压1nA | 在反向5V电压1nA | ||||
频率响应(3dB下降,RL= 50Ω) | 反向偏置200MHz@5V | 反向偏置500MHz@5V | ||||
最大反向电压 | 20V | 20V | ||||
工作温度 | -5°C到85°C | 0°C到70 °C | ||||
储存温度 | -40°C到85°C | |||||
相对湿度 | < 85% RH 不凝结 在85°C | |||||
重量 | 4g |