Excelitas CE30954EH 1060nmSi雪崩光电二极管

有效直径	0.8mm
有效面积	0.5mm2
封装形式	TO-5
发散角α1	110°
发散角α2	125°
击穿电压	375V
温度系数	2.4V/°C
增益	120
响应度@900nm	75A/W
响应度@1060nm	36A/W
响应度@1150nm	5A/W
量子效率@900nm	85%
量子效率@1060nm	36%
量子效率@1150nm	5%
暗电流	50nA
噪声电流	0.7pA/Hz
电容	2pF
串联电阻	15?(Max)
上升/下降时间	2ns
反向偏置电流	200uA
光电流密度	5mA/mm2
正向电流	5mA
存储温度	-60℃ to +100℃
工作温度	-40℃ to +70℃

产品简介

C30954EH通用型Si雪崩光电二极管采用的是双扩散的“reach-though”结构。这种光电二极管的特点是其在长波(>900nm)波段响应增强。这些雪崩光电二极管在1060nm的量子效率高达40 %，同时，该二极管保持了低噪声、低电容及上升和下降时间迅速的特征。为了简化设计，这些雪崩光电二极管也用于生产高性能带前置放大器模块的C30659 系列，而且还可用于前置放大器加温度致冷器合并模块LLAM 系列。

产品特性

■ 1060 nm波长高量子效率

■ 快速响应时间

■ 宽的工作温度范围

■ 低电容

■ 密封包装

■ RoHS适应

应用范围

■ 测距

■ 激光雷达

■ YAG 激光探测