Excelitas C30645EH InGaAs雪崩二极管

有效直径	80um
带宽	>1000MHz
暗电流	<50nA
增益	10
探测直径	80um
响应	>9.3 A/W
带宽范围	200MHz
温度系数	0.14/<0.20 V/°C
波长范围	1100nm-1700nm
击穿电压	40V-70V
峰值波长灵敏度	1550nm
光敏直径	80um
电容	1.25pF
封装	TO-18
VOP范围	40V-65V

产品简介

InGaAs雪崩光电二极管可以实现从1100nm到1700nm的高量子效率探测，并且在该波段内可以保持高增益、高量子效率和高带宽，光敏面尺寸可高达200μm。窗口和光敏面之间距离较短以便于连接光学系统。

 

产品特性                             

■ InGaAs的APD为80μm                      

■ TO-18的封装                             

■ 光谱响应1100nm-1700nm                                

■ 低噪声和暗电流                        

■ 高增益                                  

■ 高量子效率

■ 2.5GHz带宽

 

应用领域

■ 激光测距

■ 视频扫描成像仪

■ 光通信

■ 自由空间通信

■ 分光光度计