Excelitas CE30956EH 1060nm增强Si雪崩光电二极管

有效直径	3mm
有效面积	7mm2
封装形式	TO-8
发散角α1	132°
发散角α2	150°
击穿电压	400V
温度系数	2.4V/°C
增益	75
响应度@900nm	45A/W
响应度@1060nm	25A/W
响应度@1150nm	3.5A/W
量子效率@900nm	85%
量子效率@1060nm	40%
量子效率@1150nm	5%
暗电流	100nA
噪声电流	0.8pA/Hz
电容	10pF
串联电阻	15?(Max)
上升/下降时间	2ns
反向偏置电流	200uA(Max)
光电流密度	5mA/mm2
正向电流	5mA
存储温度	-60℃ to +100℃
工作温度	-40℃ to +70℃

产品简介

C30956H增强型Si雪崩光电二极管采用的是双扩散的“reach-though”结构。这种光电二极管的特点是其在长波(>900nm)波段响应增强。这些雪崩光电二极管在1060nm的量子效率高达40 %，同时，该二极管保持了低噪声、低电容及上升和下降时间迅速的特征。为了简化设计，这些雪崩光电二极管也用于生产高性能带前置放大器模块的C30659 系列，而且还可用于前置放大器加温度致冷器合并模块LLAM 系列。

 

产品特性

■ 1060 nm波长高量子效率

■ 快速响应时间

■ 宽的工作温度范围

■ 低电容

■ 密封包装

■ RoHS 适应

 

应用范围

■ 测距

■ 激光雷达

■ YAG 激光探测