太赫兹源（雪崩渡越时间二极管)

太赫兹发射器 (碰撞雪崩渡越时间二极管)

产品特点：

•  可用频率: 100 GHz ，140 GHz
•  大功率输出 (80 mW，30mW)
•  稳定性高
•  线宽缩小至1 MHz
•  工作电流: 150 – 180 mA
•  价格低廉
•  结构紧凑，体积小，易于集成

 

产品描述：

      TeraSense系列太赫兹源（IMPATT diode，碰撞雪崩渡越时间二极管），是一种硅双漂移二极管，过渡区域0.6um，安装在铜散热器上。双偏移二极管的分层：重掺杂(p +)层，适度掺杂（p-）层，适度掺杂（n-）层和重掺杂(n +)层。(p +)和(n+)层允许欧姆电触点接触到外部电路。设备依靠负电阻产生和维持振荡。

      TeraSense现在提供碰撞雪崩渡越时间二极管的升级版本。升级后的碰撞雪崩渡越时间二极管配备防护隔离器，大大提高了输出功率的稳定性。可以根据需要，选择二极管带有固定的喇叭天线，或带有WR -法兰。最佳频率为100 GHz时，典型输出功率可以达到100mW。

 

规格参数：

使用图例：