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QSDM-830-1 超辐射发光二极管（SLD） 波长830nm
 
 
QSDM-830-1 超辐射发光二极管（SLD） 波长830nm
 
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QSDM-830-1 超辐射发光二极管（SLD） 波长830nm

QSDM-830-1 超辐射发光二极管（SLD） 波长830nm

  • 货　　号：G54DC1DB1D7BC269
  • 品　　牌：QPhotonics
  • 销售价：
购买数量：
  (库存10)
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超辐射发光二极管（Superluminescent Diode, SLD）的特性介于激光二极管（Laser Diode, LD）和发光二极管（Light Emission Diode, LED）之间，是利用半导体超辐射发光的宽带半导体光源。该器件结构与LD类似，包含一个电流驱动的p-n结和一个光波导。但是非常重要的一点不同是，SLD不存在反射形成的光学反馈，因此不会产生激光。SLD主要应用在需要低的时间相干性和高的空间相干性、相对强度较高光源的领域，例如，光学相干断层扫描、干涉仪、光学测量和光纤传感器（例如光纤陀螺仪、光纤电流计等）中。n

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产品简介：

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QPHOTONICS的QSDM-830-1型超辐射发光二极管（SLD），它的特性介于激光二极管和发光二极管之间，是利用半导体超辐射发光的宽带半导体光源。
特点：
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  • 宽光谱
    • n
  • 低光谱纹波
    • n
  • 内置监控光电二极管
    • n
  • 连续光或脉冲工作模式，开关时间为10ns
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  • 双AR镀膜，<0.05％的反射率
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  • 工作温度范围-40℃至+40℃
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  • 单模光纤尾纤（Corning HI780, NA=0.14, MFD=4.5um@780nm, 5um@850nm）
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  • 可选FC/ APC连接器
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应用领域：
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  • 光学传感
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  • 光学测量
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  • 相干断层扫描
    • n
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产品结构图：
nn
发射光谱：
nn
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